知の京都- 金子健太郎さん（立命館大学総合科学技術研究機構　教授/RARAフェロー）

  

新たなパワー半導体材料、二酸化ゲルマニウム

（2023年9月20日、ものづくり振興課：足利、安達、水口、稲継）

新幹線やEV、ドローンなどへの活用が進む「SiC」、次世代材料として期待される「酸化ガリウム」は、京都発のパワー半導体材料として世界で注目されています。さらに新しいパワー半導体材料として「二酸化ゲルマニウム」を開発・研究されているのが金子教授です！

二酸化ゲルマニウムは、大きなバンドギャップ(4.6 eV)、ドーピング手法によるp型とn型の電気伝導(理論予測)、バルク合成可能という新しいパワー半導体材料が市場に出るための条件を兼ね備えています。さらに、高性能な低消費電力デバイスとしてだけではなく、耐宇宙環境用の電子デバイスとしての活躍も期待されています。

「教授がやっていないテーマをやらないといけない」、と金子さんが知恵を巡らせた中で出会った材料が、二酸化ゲルマニウムなのです。

 

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